蘇 彬 Pin Su

傑出研究獎

國立陽明交通大學
電子研究所教授

學歷

  • 美國加州柏克萊大學電機工程博士(2002)
  • 國立交通大學電子研究所碩士(1994)
  • 國立交通大學電子工程系學士(1992)

經歷

  • 國立交通大學電子研究所教授(2010/8 ~ 迄今)
  • 國立交通大學電子工程系暨電子研究所副教授(2007/8 ~ 2010/7)
  • 國立交通大學電子工程系暨電子研究所助理教授(2003/8 ~ 2007/7)
個人勵志銘
「要怎麼收穫,先怎麼栽。」

投入鐵電電晶體研究 推進以資料為核心之運算

本人主要從事鐵電負電容場效電晶體(Negative-Capacitance FET, NCFET) 以及鐵電電晶體非揮發性記憶體(Ferroelectric-FET Nonvolatile Memory, FeFET NVM)之相關研究。鐵電電晶體是一種能夠運算與記憶之元件,此融合記憶與運算功能且相容於當今CMOS 技術之獨特元件,極有利於未來以資料為核心之運算。

近5 年(2017/08 ~ 2022/07)之學術著作(16 篇IEEE 期刊論文以及2 篇IEDM 頂尖會議論文)關注重點為:鐵電負電容電晶體微縮物理模型及獨特反饋機制、鐵電電晶體非揮發性記憶體元件設計與微縮分析、反鐵電運作機制與動態模型、鐵電元件創新電路與運算等議題。由於研究團隊在負電容電晶體之系列研究獲得國際高度重視,本人曾獲邀於2019 年國際頂尖電子元件會議IEDM 發表相關專題演講與論文。本人關於鐵電電晶體創新電路之研究亦獲得IEEE Electron Devices Society 2020 Leo Esaki Award。此獎項全球每年只選出一件,這是臺灣研究團隊第一次獲得此重要獎項。

本人目前擔任Å 世代前瞻半導體計畫「次奈米節點鐵電電晶體關鍵技術:鐵電反鐵電材料與物理、低能耗邏輯與記憶體元件及其高效能運算」總主持人,已建立一跨校鐵電研究團隊,希望能對臺灣半導體未來有所貢獻。

傑出研究獎

得獎感言

研究如耕耘,須長期持續投入才可能有所收穫。感謝國科會計畫長久以來的支持,也謝謝評審委員的肯定。最後,我要謝謝我的研究團隊,以及美國柏克萊加大的胡正明院士。